制造厂商：日本电子株式会社
技术指标：
二次电子 (SE) 分辨率：15kV 时 0.8 nm，1kV 时 1.0 nm；
背散射电子 (BSE) 分辨率：1kV 时 1.5 nm；
放大倍数：25~100万倍；
加速电压: 100 V - 30 kV；
倾转角度：连续旋转 360°；
重复精度：2 µm (X/Y方向)
功能：
利用电子信号成像来观察样品的表面形态，可以反映和记录材料的微观形貌、孔隙大小、晶界和团聚程度等。可广泛应用于金属材料、非金属材料、冶金、生物、医学等领域。
